诺基亚X7开箱上手体验,联发科Helio P70即将登场

悦娇 2018-10-19 来源: 科技美学

10月16日诺基亚手机在北京发布了又一款X系列新品- Nokia X7,该手机作为X系列的蔡司轻旗舰,表现究竟如何呢?

据Digitimes报道,业内人士称联发科将在本月晚些时候推出全新中端芯片Helio P70,旨在保持联发科在移动芯片领域的地位不动摇。

据悉,联发科Helio P70基于12nm工艺制程打造,由Cortex A73×4+Cortex A53×4组成(与Helio P60相似),GPU为Mali-G72。

它和联发科Helio P60的区别在于Helio P70芯片配备独立NPU(神经网络单元),AI处理能力会有大幅提升。

消息人士指出,联发科Helio P70芯片将与高通骁龙710处理器展开竞争,相应终端随后亮相。

骁龙710是高通今年推出的中端芯片,这颗芯片基于10nm工艺制程打造,采用Kryo 360架构、八核心设计(两大核+六小核),GPU为Adreno 616,安兔兔跑分在17万左右。

另外,Digitimes透露联发科已经开始量产7nm ASIC芯片,它基于7nm FinFET工艺制程打造,消息称它已经进入全球两大游戏机制造商的供应链名单。

另外三星官方宣布,已经开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。

据悉,三星的7nm LPP采用EUV光刻,机器采购自荷兰ASML(阿斯麦),型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W),日产能1500片。

简单来说,EUV使用13.5nm波长的极紫外光曝光硅片,而传统的氟化氩(ArF)浸没式光刻则是依靠193nm波长,并且需要昂贵的多模掩模装置。EUV技术使得使用单个光罩来创建硅晶圆层成为可能,而ArF可能需要多达4倍的光罩才能创建相同的晶片。也就是说,与非EUV工艺相比,三星的7 LPP工艺可使光罩总数大量减少,为客户能够节省时间和成本。

三星透露,其从2000年左右就着手研究EUV技术了。

技术指标上,对比10nm FinFET,三星7nm LPP可实现面积能效(同样复杂度为量纲)提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

三星透露,基于EUV的7nm LPP成功量产为其推进3nm奠定了基础、指明了道路。产能方面,主要在韩国华城的S3工厂,2020年前会在开一条新产线。

目前已知,高通新一代的5G基带会采用三星的7nm LPP工艺,看起来骁龙8150/8180等SoC希望也很大。

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