蠢蠢欲动的存储芯片厂商 高交会上为何集体玩“失踪”?

2014-11-09 彤彤

OFweek电子工程网讯:根据最新的数据显示,全球存储芯片市场规模达到了800亿美元,未来几年还会快速增长。为了抢下这块大蛋糕,各股势力都在蠢蠢欲动:英特尔升级大连工厂,转产闪存芯片;紫光入股西部数据,西部数据收购Sandisk。虽然这是巨头们的连环资本运作,但是依然能看到国产厂商的影子。

记者本想在高交会上一睹国产存储厂商的风采,逛了几圈却愿望落空...

以往几届高交会都能见识到几家国内的存储厂商得面孔,“中国制造”的硬盘也会有所展示。但是这届高交会却全部缺席了,就连存储五大巨头也依旧只能见其一——东芝,着实让人大跌眼镜。

实际上,除了希捷之外,全球知名的存储厂商都开始在闪存上押注加码了。而且已经有相应的黑科技问世,例如,三星的3D V-Nand的单die可以做到48层,英特尔和美光也推出了颇具颠覆性的3D Xpoint技术。不过这些厂商似乎都很高冷,本届高交会现场是无缘见到这两项黑科技的。

既来之则安之,一起来看看这次高交会上仅有的几款存储产品吧。

两张闪存PPT

东芝在去年的高交会上展示了堆叠了17层Die的eMMC,容量为64GB;另一个是,15nm的16GB(128Gb)MLC晶圆,在普通大众眼里,晶圆还是很很高大上的吧。不过今年东芝只是低调地带来了两张闪存PPT...

在东芝展位的最外围挂着两张PPT,分别介绍了SLC NAND闪存“BENAND”以及工业级NAND闪存系列“e·MMC”。其中,BENAND算不上前沿产品,它还是2012推出的产品,采用的制造工艺略显平庸,为24nm,参数也不够亮眼,最大容量为8GB,不过据东芝负责人介绍,这款产品的开发会一直延续到2020年。

而e·MMC存储器产品则展示了东芝的最高水平,它是一颗15nm工艺闪存。需要注意的是,闪存芯片的工艺和处理器芯片工艺不同,15nm已经是2D NAND的极限,而能够续写闪存芯片摩尔定律的大概只有3D NAND了。不过,东芝也明确表示暂时没有推出3D NAND产品的计划,所以未来很长一段时间东芝仍然会主推15nm NAND闪存。

据业内人士介绍,三星的3D NAND闪存工艺已经量产,预计明年可以推出相关闪存颗粒,美光、东芝和Sandisk虽然有在调试3D NAND产线,但量产节点最少要等到明年。3D NAND比2D NAND成本低了至少30%,用这种新工艺做出来的SSD将会给其它厂商带来不小的冲击。

一款即将退休的HDD

当然,除了两张PPT之外,还有全场唯一一款看得见摸得着的存储产品。

东芝展示的是一款应用于汽车的硬盘,不过不是SSD,还是2012年出品的传统机械硬盘系列,这款HDD最高容量有320G,数据传输率为122MB/s。据介绍,这种车载HDD与普通PC上内置的不同,例如抗震效果以及适用温度范围都要由于普通的HDD(但相比SSD,HDD的抗震效果还是差得远吧)。

东芝本身在消费类硬盘没有取得好成绩,如果不在车载硬盘上保持优势,恐怕存储大厂的位置也难保了...

在高交会这种级别的展会,排出这样的阵容多少还是有些让人失望的,说的好听是东芝并没有把存储芯片以及硬盘作为本次参展的重心。实际上是,各大厂商都在忙着并购扩张计划,今年根本都没有太多吸引眼球的存储产品。我们不妨期待一下明年原厂的表现,按照三星和Sandisk等厂商的计划,它们都会相继祭出大招,3D NAND也会遍地开花。

15nm的16GB MLC晶圆

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